【導(dǎo)讀】2026年6月22日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股旗下詮鼎集團(tuán)宣布，攜手全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商?hào)|芝（Toshiba）成功舉辦“東芝高效率電源轉(zhuǎn)換與功率組件應(yīng)用”線上研討會(huì)。本次會(huì)議聚焦東芝在硅基低壓/高壓MOSFET與SiC MOSFET的最新產(chǎn)品、應(yīng)用重點(diǎn)及后續(xù)技術(shù)演進(jìn)方向，并結(jié)合高功率應(yīng)用的參考設(shè)計(jì)，協(xié)助工程團(tuán)隊(duì)更快落地、有效縮短開發(fā)周期。
當(dāng)前，全球能源轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，電源技術(shù)正朝著更高能效、更高功率密度、更低綜合成本的方向迭代升級(jí)。面對(duì)日益嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn)與更加緊湊的系統(tǒng)空間，功率器件的選型與拓?fù)湓O(shè)計(jì)已成為決定產(chǎn)品效能的關(guān)鍵分水嶺。東芝的硅基半導(dǎo)體與SiC器件最新產(chǎn)品，為AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心與工業(yè)電源帶來了高功率密度與高效率設(shè)計(jì)的全新可能。
會(huì)上，臺(tái)灣東芝電子零組件股份有限公司FAE經(jīng)理葉侑哲（Peter Yeh）全面分享了對(duì)AI服務(wù)器趨勢(shì)下設(shè)計(jì)思維的更新。他指出，為滿足AI算力爆發(fā)帶來的高功率密度需求，電源架構(gòu)正加速向HVDC（高壓直流）方向演進(jìn)。東芝已制定清晰的功率器件發(fā)展路線圖，依托自有設(shè)計(jì)與工藝能力，全面布局硅與碳化硅（SiC）全品類功率器件。
在低壓MOSFET（LVMOS）部分，葉侑哲介紹了東芝的技術(shù)路線圖及商業(yè)化時(shí)間表。針對(duì)40V和80V產(chǎn)品，東芝正通過下一代工藝追趕并超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的最低導(dǎo)通電阻（Rdson）。他表示，U-MOS11-H 80V系列產(chǎn)品已上市，其中TPM1R408RH型號(hào)在Rdson與柵極電荷（Qg）等關(guān)鍵參數(shù)上表現(xiàn)優(yōu)于競(jìng)品。該產(chǎn)品具備卓越的溫度特性，在三款同類器件中綜合性能最佳。
針對(duì)高壓MOSFET（600V-650V），葉侑哲展示了DTMOSVI系列的設(shè)計(jì)理念與演進(jìn)路線。該系列提高摻雜濃度以降低Rds(on)及縮小Die Size，顯著提升了器件性能及競(jìng)爭(zhēng)力，Rdson×Qgd指標(biāo)已達(dá)業(yè)界先進(jìn)水準(zhǔn)。基于DTMOSVI 600V平臺(tái)開發(fā)的高速恢復(fù)二極管型HSD系列，相比上一代在Qg、反向恢復(fù)電荷（Qrr）以及高溫?fù)p耗方面均有明顯改善。以DTMOSVI 600V HSD 58mΩ DFN8×8封裝器件為例，盡管在輸入電容（Ciss）和輸出電容（Coss）上略遜于某競(jìng)品第七代產(chǎn)品，但在Rdson、Qg、Qgd等關(guān)鍵效率指標(biāo)上表現(xiàn)更為優(yōu)異。
在備受關(guān)注的SiC領(lǐng)域，東芝披露了離散式SiC MOSFET的發(fā)展路線圖。下一代溝槽柵MOSFET將以QDPAK封裝為首發(fā)產(chǎn)品，后續(xù)將逐步擴(kuò)展封裝類型、電壓等級(jí)和導(dǎo)通電阻系列。東芝已量產(chǎn)的第三代SiC MOSFET具備低Rds(on)&溫度穩(wěn)定性。通過內(nèi)置SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）抑制晶格缺陷導(dǎo)致的Rds(on)退化，同時(shí)減小芯片尺寸以達(dá)到更好的性能表現(xiàn)及提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
在芯片開發(fā)路線圖上，東芝下一代溝槽柵SiC MOSFET預(yù)計(jì)將Rdson×A（單位面積導(dǎo)通電阻）較第三代降低超過50%，同時(shí)獲得更優(yōu)的Rdson×Qgd，有望成為單位功率成本最佳的SiC MOSFET產(chǎn)品。在開關(guān)特性方面，下一代溝槽器件可實(shí)現(xiàn)與某一線廠商第二代產(chǎn)品相當(dāng)?shù)膿p耗水平。此外，跨導(dǎo)的改善使得器件支持VGS=15V驅(qū)動(dòng)電壓，顯著提升了易用性。第三代SiC SBD同樣表現(xiàn)出色，可提供業(yè)界最低的Vf(1.2V)，范例中，應(yīng)用于PFC電路，能有效提升整機(jī)效率。
為幫助工程師快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)、縮短產(chǎn)品上市周期，東芝提供豐富的參考設(shè)計(jì)資源，涵蓋電源與電機(jī)控制兩大領(lǐng)域。這些參考設(shè)計(jì)結(jié)合了東芝最新功率器件與典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可直接用于AI服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心備用電源及工業(yè)開關(guān)電源等場(chǎng)景。
隨著AI算力需求的爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心單機(jī)柜功率密度已從過去數(shù)kW至數(shù)十kW,快速提升至數(shù)百kW等級(jí)，并隨著800 VDC架構(gòu)的導(dǎo)入，進(jìn)一步向MW級(jí)AI rack / rack-scale power system發(fā)展，電源轉(zhuǎn)換效率與功率密度成為系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)與東芝的此次深度技術(shù)交流，不僅展現(xiàn)了東芝在硅基與碳化硅功率器件領(lǐng)域的全面布局與技術(shù)實(shí)力，也為廣大電源工程師提供了切實(shí)可行的選型指南與設(shè)計(jì)思路。
未來，大聯(lián)大詮鼎將持續(xù)攜手東芝，以更高效的功率器件與本地化技術(shù)支持，助力亞太區(qū)客戶在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效率、高可靠性的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。
作為全球領(lǐng)先電子元器件分銷商，大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)憑借多年的渠道經(jīng)驗(yàn)，不僅是零件供應(yīng)商，更是客戶的技術(shù)戰(zhàn)略伙伴。為迎戰(zhàn)全球化布局，自2026年起，原品佳、詮鼎、友尚三大集團(tuán)整合為全新的詮鼎集團(tuán)，深度聚合三方優(yōu)勢(shì)資源，實(shí)現(xiàn)資源更集中、服務(wù)更全面、供應(yīng)鏈韌性更強(qiáng)的綜合效益。通過整合數(shù)字化供應(yīng)鏈管理與專業(yè)技術(shù)支持優(yōu)勢(shì)：在開發(fā)端，協(xié)助解決技術(shù)難題，加速產(chǎn)品上市；在量產(chǎn)端，提供精準(zhǔn)的庫存管理與實(shí)時(shí)交貨服務(wù)，致力于為客戶優(yōu)化營運(yùn)成本、應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變局，并提供穩(wěn)定、及時(shí)的交付承諾。
本次研討會(huì)全程通過大聯(lián)大旗下平臺(tái)“詮鼎大大芯”進(jìn)行直播，無需注冊(cè)登錄即可觀看，“詮鼎大大芯”平臺(tái)每月舉辦多場(chǎng)研討會(huì)，分享市場(chǎng)最新技術(shù)趨勢(shì)與熱門應(yīng)用實(shí)例。歡迎業(yè)界同仁隨時(shí)回顧精彩內(nèi)容，深入了解東芝高效率電源轉(zhuǎn)換與功率組件應(yīng)用。
